C5027 datasheet на русском

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Корпус транзистора KSC5027 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный транзистор для использования в промышленном оборудовании.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттера-база 7 В
Ic Ток коллектора постоянный 3,0 А
Ip Ток коллектора импульсный 10,0 А
Ib Ток базы 1,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В 10 мкА
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,2 А 10 40
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А 2 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А 1,5 В
tON Время включения Ic = 0,3 А, Ib = 0,06 А 0,5 мкс
fT Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 0,2 А 15 МГц
Tf Время спада импульса RI = 200 Ом 0,3 мкс
N O
10 20 20 40
Читайте также:  1С подключение к внешнему источнику данных

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Биполярный транзистор KSC5027 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KSC5027

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO220

KSC5027 Datasheet (PDF)

1.1. ksc5027.pdf Size:53K _fairchild_semi

KSC5027 High Voltage and High Reliability � High Speed Switching � W >1.2. ksc5027.pdf Size:24K _samsung

KSC5027 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY TO-220 HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter C

1.3. ksc5027f.pdf Size:74K _samsung

KSC5027F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING TO-220F W >1.4. ksc5027.pdf Size:88K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5027 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·High voltage and high reliability ·High speed switching ·W >

Форум по AVR

кремниевый высоковольтный транзистор N-P-N проводимости.
Применяется в высоковольтных коммутаторах и генераторах.

c5027 Имеет высокую скорость переключения.
Цоколевка транзистора c5027:

Параметры тразистора 2SC5027:

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 35
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220

Читайте также:  My phone explorer на компьютер windows 10

Маркировки транзистора других производителей
2SC5027 (Toshiba)
KSC5027 (Fairchild)

Чем заменить c5027?
KSC5027F, 2SC3866, 2SC5353, BUT11A, C5027-R, C5027F-R

Скачать C5027 datasheet

“>