Goodram iridium ir 2400d464l17s 8g

Оглавление

Вступление

Мы продолжаем экспериментировать с новой программной платформой AMD AGESA 1.0.0.6, предназначенной для процессоров AMD Ryzen, и ее возможностями по разгону оперативной памяти DDR4.

На этот раз предметом для наших экспериментов станет оперативная память, выпущенная небольшим польским производителем Wilk Elektronik SA – комплект из двух модулей GoodRAM Ir >

Обзор и тестирование шести модулей оперативной памяти DDR4-2133 Crucial CT8G4DFS8213 объемом 8 Гбайт

С тех пор, как AMD представила свою процессорную архитектуру «Zen», выяснилось, что новинке довольно-таки желательна именно быстрая память, а не абы что. Причем уже DDR4, а не DDR3 – последняя Socket AM4 не поддерживается. Поэтому запасами старых модулей при апгрейде уже не обойтись. Нашей «жертвой» станет продукция Micron: шесть модулей, выпущенных под торговой маркой Crucial.

реклама

На всякий случай отметим, что официально прошивки BIOS на программной платформе AGESA 1.0.0.6 на данный момент выпущены не для всех материнских плат. Наличие такой прошивки для конкретной модели платы можно проверить, зайдя на сайт производителя и просмотрев список доступных BIOS: ищем в описании «Update AGESA to 1.0.0.6.» или подобное. Это и есть искомая версия. Все выпущенные после нее версии также будут на AGESA 1.0.0.6. Для некоторой части моделей прошивки выпущены в статусе «beta» («тестовая версия»), найти их можно на многочисленных форумах на просторах интернета или запросив оные у техподдержки производителя системной платы.

реклама

Обзор GoodRAM Iridium IR-2400D464L15S/16GDC

Упаковка и комплектация

В отличие от протестированных неделей ранее модулей Kingston, очутившихся у меня случайным образом и даже без упаковки, два этих модуля оснащены вполне розничной упаковкой.

Мало того, предоставлены они самой Wilk Elektronik SA и взяты не из розницы, о чем гласит соответствующая этикетка «Не для продажи. Для демонстрационных целей».

В остальном упаковка не отличается от розничной. Обращает на себя внимание то, что физически комплект составлен из двух раздельных коробок с модулями и соответствующий вариант в виде одиночных планок также выпускается на рынок – под маркировкой «IR-2400D464L15S/8G».

Таким образом производитель решил проблему более гибкого варьирования складскими запасами.

В упаковке присутствует лишь сам модуль, никаких буклетов, декоративных наклеек или еще чего-то пользователю не предлагается.

Дизайн и особенности модулей памяти

Модули оперативной памяти GoodRAM Iridium позиционируются как имиджевая серия, о чем прямо сказано на сайте компании: «Модули памяти IRDM DDR4 предназначены для геймеров, энтузиастов и профессионалов. В модулях использованы чипы наилучшего качества, а также 8-слойная печатная плата черного цвета». Также указывается на наличие пожизненной фирменной гарантии (пользователям из Германии, Франции и Австрии даётся десятилетняя гарантия).

Позаботилась компания и об охлаждении: модули памяти GoodRAM Iridium снабжены радиаторами, причём они бывают четырех цветовых вариаций — в черном, белом, красном и синем исполнении. К нам на тестирование попал вариант, оснащенный радиаторами черного цвета.

Обращает на себя внимание простое исполнение радиаторов: фактически это полоски из алюминиевого сплава, тонкие и достаточно легко гнущиеся. В принципе, они способны защитить модули от некоторых повреждений, помимо своей эстетической роли: нагрев микросхем невелик даже в очень интенсивных тестах при повышенном вручную напряжении, никакой нужды в теплоотводе тут нет.

На наклеенных на радиаторы этикетках приводятся некоторые данные, но они исключительно общие, серийные номера модулей отсутствуют (их, кстати, нет и на упаковке). Данные о частоте и основных таймингах и напряжении указываются лишь на коробке, а рабочее напряжение, на самом деле равное 1.2 В, вообще нигде не упоминается.

В апреле текущего года компания Wilk Elektronik SA, которая обладает правами на бренд GOODRAM, представила новую серию оперативной памяти – GOODRAM IRDM DDR4. Она нацелена на геймеров, энтузиастов и опытных пользователей. Сборка самих модулей происходит в Польше с использованием специально отобранных чипов памяти от надежных поставщиков. А для улучшенного теплоотвода они используют компактные низкопрофильные радиаторы, которые не увеличивают высоту модулей, поэтому не будут мешать установке габаритных процессорных кулеров.

Читайте также:  Как взять пакет интернет

Нам был любезно предоставлен для тестирования двухканальный 16-гигабайтный комплект DDR4-2400 GOODRAM IRDM IR-W2400D464L15S/16GDC. Данного объема как раз достаточно для современных игровых систем, а номинальная тактовая частота позволит использовать его с актуальными платформами от AMD и Intel. Знакомство с новинкой по традиции начнем с рассмотрения технических характеристик.

Спецификация

DDR4-2400 GOODRAM IRDM

IR-W2400D464L15S/16GDC

Количество модулей в наборе

Объем памяти каждого модуля

Суммарный объем памяти комплекта

Номинальное напряжение питания

1024М х 64 (1-ранговый)

Конфигурация чипа памяти

Обычные режимы работы

DDR4-2400 16-15-15-39 (1,2 В)

DDR4-2400 15-15-15-39 (1,2 В)

DDR4-2133 14-14-14-35 (1,2 В)

DDR4-1866 13-12-12-30 (1,2 В)

DDR4-1866 12-12-12-30 (1,2 В)

DDR4-1600 11-10-10-26 (1,2 В)

DDR4-1600 10-10-10-26 (1,2 В)

DDR4-1333 9-9-9-22 (1,2 В)

Расширенный профиль XMP 2.0

Упаковка и внешний вид модулей

К нам на тестирование комплект GOODRAM IRDM IR-W2400D464L15S/16GDC поступил в компактной пластиковой упаковке, которая обеспечивает базовую сохранность модулей в процессе транспортировки. При взгляде на этикетку можно узнать бренд производителя, тип памяти, общий объем, схему таймингов и еще ряд полезных данных.

Поскольку у нас на тестировании были специальные образцы для прессы, то в коробочке кроме самих модулей ничего не было. Однако сами ее размеры подсказывают, что там максимум может быть еще наклейка с брендом производителя.

Планки памяти смотрятся весьма выигрышно и стильно благодаря сочетанию черной печатной платы и белых радиаторных пластин. В центре красуется логотип торговой марки GOODRAM и надпись «IRIDIUM», сокращение которой легло в название новой серии.

В отличие от большинства конкурентов, половинки радиатора не соединяются между собой. В этом есть свои позитивные и негативные стороны. К плюсам можно отнести оригинальный вид, компактные габариты и более простой доступ воздушным потокам к внутренним компонентам. А среди минусов отметим уменьшение эффективной площади рассеивания тепла, ведь гребень также участвовал бы в теплоотводе.

На обратной стороне присутствует наклейка с базовой технической информацией, которая сообщает номер детали (IR-W2400D464L15S/16GDC) и серийный номер (GQP004798), тип памяти (DDR4), объем одного модуля (8 ГБ), номинальную тактовую частоту (2400 МГц), пропускную способность (19200 МБ/с) и другую полезную информацию.

Технические характеристики и режимы работы

Для получения подробных технических данных мы использовали утилиту Thaiphoon Burner, которая специально разработана для диагностики оперативной памяти. Ниже подан краткий и подробный отчеты для тестируемого комплекта.

Программа Thaiphoon Burner позволяет узнать дополнительную информацию без снятия радиаторов. Например, модули DDR4-2400 GOODRAM IRIDIUM IR-W2400D464L15S/16GDC используют одноранговую структуру и изготовлены на 24 неделе 2017 года (12-18 июня) с применением 8-слойной печатной платы на основе типовой карты A2. Внутри каждого из них находятся восемь микросхем объемом по 8 Гбит, что обеспечивает суммарную емкость 64 Гбит или 8 ГБ. Производителя самих микросхем идентифицировать не удалось.

В SPD модулей памяти записано восемь рабочих режимов с тактовой частотой от DDR4-1333 до DDR4-2400. А вот XMP-профилей не предусмотрено. Рабочим напряжением является 1,2 В.

Тестирование и разгон

Для проведения тестов мы использовали такую конфигурацию стенда:

Intel Core i5-7600K (Socket LGA1151, 3,8 ГГц, L3 6 МБ)

Turbo Boost: enable

ASUS TUF Z270 MARK 1 (Intel Z270, Socket LGA1151, DDR4, ATX)

Intel HD Graphics 630

WD Purple WD10PURX (1 ТБ)

Seasonic X-660 ( 660 Вт, Active PFC, 80 PLUS Gold, 12- мм fan)

Для начала отметим, что 16-гигабайтный комплект памяти GOODRAM IRDM IR-W2400D464L15S/16GDC, мы протестировали не только в номинальном режиме DDR4-2400 с таймингами 15-15-15-35, но и при разгоне до DDR4-2667 МГц (16-17-17-36) и DDR4-2800 МГц (16-18-18-36). Нам покорилась даже частота DDR4-2933 МГц (18-18-18-36), но для стабильной работы уже пришлось поднять напряжение с 1,2 до 1,32 В.

Что же касается нагрева, то после 20 минут стресс-теста в режиме DDR4-2400 МГц температура модулей составила 40°С. Переход к режиму DDR4-2800 МГц повысил этот показатель всего лишь до 42°С. То есть радиаторы эффективно справляются со своей работой.

Читайте также:  Scx 4200 series драйвера

В синтетических тестах наиболее ярко проявляется преимущество от перехода на более высокие тактовые частоты. Например, при сравнении с номинальным профилем DDR4-2400 МГц, скорость чтения данных в AIDA64 Cache & Memory Benchmark увеличивается на 6% после перехода к DDR4-2667 или на 10,5% в режиме DDR4-2800. Скорость записи в аналогичных ситуациях повышается на 10,7% и 17% соответственно.

В WinRAR поднятие частоты до DDR4-2667 обеспечивает бонус менее 1%, но если сопоставить показатели DDR4-2400 и DDR4-2800, то отрыв последнего уже достигает 9,6%.

Однако не все тесты отдают безоговорочное преимущество режиму с более быстрой частотой. Например, в CINEBENCH R15 показатель CPU снижается от перехода с DDR4-2400 до DDR4-2667 и DDR4-2800. Зато по параметру OpenGL фиксируем незначительную прибавку на уровне 1% и 2% соответственно.

В системах на базе AMD Ryzen прирост от более быстрой памяти должен быть еще выше.

Итоги

Что же может предложить потенциальным покупателям комплект оперативной памяти DDR4-2400 GOODRAM IRDM IR-W2400D464L15S/16GDC? Во-первых, это двухканальный набор с оптимальным на данный момент объемом 16 ГБ для производительной игровой системы. Хотя в этой серии есть и одиночные модули емкостью 4 и 8 ГБ, а также двухканальные наборы объемом 8 ГБ.

Во-вторых, сами планки накрыты весьма необычным радиатором и доступны в четырех популярных цветовых вариантах. Эффективность теплоотвода порадовала – даже при разгоне до 2800 МГц внутренняя температура не превышала 42°С. При этом отсутствие гребня позволяет меньше волноваться о совместимости с габаритными процессорными кулерами, поскольку высота модуля равняется стандартной высоте самой печатной платы.

В-третьих, нам удалось ускорить набор GOODRAM IRIDIUM IR-W2400D464L15S/16GDC с номинальных 2400 до 2933 МГц. Кстати, новый микрокод AGESA 1.0.0.6 и BIOS’ы на его основе как раз добавили поддержку частоты DDR4-2933 МГц для процессоров AMD Ryzen. В свою очередь новые платформы (AMD Ryzen Threadripper и Intel Core X) гарантированно поддерживают работу модулей DDR4-2400 и DDR4-2667 МГц.

Также приятно отметить, что производитель уверен в качестве своего продукта: микросхемы памяти проходят тщательный отбор, а сами модули подвергаются суровым стресс-тестам после изготовления. В результате на них распространяется пожизненная гарантия.

Выражаем благодарность компании Wilk Elektronik SA за предоставленный для тестирования комплект оперативной памяти.

Средняя цена по России, руб: 3 230

Общие характеристики

Производитель

Фирма, спроектировавшая данный модуль памяти.

GoodRAM Тип памяти

DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.

На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.

На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.

DDR — самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.

DDR2 — следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.

Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.

DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.

Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.

DDR4 Форм-фактор

DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.

SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).

Читайте также:  Почему винда не видит жесткий диск

FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.

LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.

RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.

DIMM Количество модулей памяти

Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.

1 Размер одного модуля памяти, Мб

Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.

8192 Тактовая частота, МГц

Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.

Дополнительные характеристики

Пропускная способность, Гб/с

Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.

19200 Поддержка ECC

EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.

нет Буферизованная (Регистровая) память

Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.

нет Низкопрофильная

Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.

нет Количество контактов

Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.

288 Число чипов на один модуль памяти

Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.

4 Напряжение, В

Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.

1.2 Наличие радиатора

Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).

есть CAS Latency (CL), тактов

CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).

17 Упаковка чипов

Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.

не указана tRCD, тактов

tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.

17 tRP, тактов

tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

17 tRAS, тактов

tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

30 Количество ранков

Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.

4 Совместимость

Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.